BSS40 - beschrijving
BSS40 NPN silicium transistor met 40 V Uce en 1 A Ic. Versterkingsfactor boven 25, dissipatie 360 mW en grensfrequentie boven 200 MHz.
Voorkeurstype voor core-driver toepassingen. Maximale junctietemperatuur 200 °C. Datasheet op aanvraag, compatibel met standaard NPN-voetjes.
BSS40 - kenmerken
40 V / 1 A NPN
Schakelt grotere kernstuurstromen met kleine aansturing.
>200 MHz
Blijft bruikbaar in snelle puls- en HF-trappen.
360 mW dissipatie
Voert warmte af tot 200 °C junctietemperatuur.
BSS40 - specificaties
-
Type: silicium NPN transistor
-
Dissipatie: 360 mW
-
Frequentie: >200 MHz
-
Toepassing: core driver
-
Stroom (Ic): 1 A
-
Spanning (Uce): 40 V
-
Versterking (β): >25
-
Maximale temperatuur: 200 °C
-
Merk: Van Dijken Electronica















