FQP13N10 N-kanaal power MOSFET 100V 12,8A TO-220

FQP13N10 specificaties

• Behuizing: TO-220AB through-hole, 3 pins

• Kanaaltype: N-kanaal enhancement mode (QFET)

• Aan-weerstand Rds(on): 0,142 ohm bij 10 V

• Vermogensdissipatie Pd: 65 W

• Continue drainstroom Id: 12,8 A

• Bedrijfstemperatuur max.: 175 °C junctie

• Drain-source spanning Vds: 100 V

• Gate-source drempelspanning max.: 4 V

• Merk: Van Dijken Electronica