Hitachi Energy 5SMY 86J1722 IGBT-die 1700V
€ 200,00
€ 103,36
De Hitachi Energy 5SMY 86H1280 IGBT-chip gebruikt SPT-techniek voor een hoog uitgangsvermogen per ampère bij 1200 V. Typisch gebruik ligt in omvormers voor industriële drives, solar, UPS en elektrische voertuigen.
De matige krimp met groter die-oppervlak verlaagt de verliezen per ampère. Verwerking en montage staan in de datasheet.
De Soft Punch Through-opbouw levert meer vermogen per ampère.
De behouden chipmaat spreidt stroom en warmte gelijkmatiger.
De chip past in omvormers voor drives, solar, UPS en EV.
Kenmerk: hoog vermogen per ampère door groter die-oppervlak
Spanning: 1200 V
Toepassing: industriële drives, solar, UPS, elektrische voertuigen
Technologie: SPT (Soft Punch Through), ook als SPT+ / SPT++
Merk: Astrolkwx